[实用新型]一种叠合引线框架修正治具

说明书

技术领域

本实用新型涉及引线框架的技术领域，尤其涉及一种叠合引线框架的叠合引线框架修正治具。

背景技术

引线框架中，有一种叠合引线框架，如图1和图2所示，叠合引线框架3′包括依次叠加设置的引线框架31′、芯片32′和铜桥框架33′，引线框架31′和芯片32′、芯片32′和铜桥框架33′之间均通过锡膏焊接在一起，由于叠合引线框架3′在倒装芯片焊接中要求引线框架31′在沿宽度方向的两侧的支持杆区域设置半蚀刻区域311′，在经过半蚀刻后，半蚀刻区域311′的厚度只有未进行半蚀刻前的厚度的30％。在后续回流焊的过程中，锡膏由半流动状态变成固态，体积收缩，对铜桥框架33′和引线框架31′产生拉力，由于铜桥框架33′厚度比较厚，抗变形的力比较大，而引线框架31′更容易变形，且引线框架31′的半蚀刻区域311′的厚度更小，因此，如图3所示，在回流焊后，引线框架31′在半蚀刻区域311′之间的结构会向铜桥框架33′凹陷。在后续进行塑封时，如图4和图5所示，叠合引线框架3′放置在上模41′和下模42′之间，引线框架31′由于中部上翘，会与下模42′的上表面之间产生间隙，在塑封过程中，间隙会产生溢胶(塑封胶体进入间隙)现象而导致产品报废。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提出一种叠合引线框架修正治具，将变形的叠合引线框架进行修正，避免在塑封时溢胶报废。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种叠合引线框架修正治具，包括下压件、垫块，在所述下压件和所述垫块之间设置有叠合引线框架，所述叠合引线框架包括依次叠加的铜桥框架、芯片和引线框架，所述引线框架沿宽度方向设置有两条平行的半蚀刻区域，且所述引线框架在半蚀刻区域之间的结构向所述铜桥框架凹陷，所述下压件可向下靠近或向上远离所述垫块，所述垫块的上表面的中部向内凹陷形成凹陷区，所述凹陷区的宽度大于两条所述半蚀刻区域的距离，小于所述引线框架的宽度；使用时，所述引线框架放置于所述垫块的上表面，所述引线框架的两端位于所述凹陷区外，两条所述半蚀刻区域均位于所述凹陷区内，所述下压件下压所述铜桥框架，使得所述引线框架在半蚀刻区域之间的结构向所述凹陷区凸出。

其中，所述凹陷区的深度为0.05mm-0.2mm。

其中，所述凹陷区的深度为0.12mm。

其中，两条所述半蚀刻区域沿所述凹陷区的中心对称设置。

其中，所述下压件的底部凸设有用于下压所述铜桥框架的凸出部，所述凸出部位于两条所述半蚀刻区域之间。

其中，所述凸出部沿所述凹陷区的中心对称设置。

其中，所述叠合引线框架的边缘设置有定位孔，所述垫块上设置有与所述定位孔相应的定位柱。

其中，多个叠合引线框架并排连接形成叠合引线框架组件，所述定位孔位于所述叠合引线框架组件的边缘，所述垫块在每个所述引线框架的相应区域均设置有所述凹陷区。

有益效果：本实用新型提供了一种叠合引线框架修正治具，包括下压件、垫块，在所述下压件和所述垫块之间设置有叠合引线框架，所述叠合引线框架包括依次叠加的铜桥框架、芯片和引线框架，所述引线框架沿宽度方向设置有 两条平行的半蚀刻区域，且所述引线框架在半蚀刻区域之间的结构向所述铜桥框架凹陷，所述下压件可向下靠近或向上远离所述垫块，所述垫块的上表面的中部向内凹陷形成凹陷区，所述凹陷区的宽度大于两条所述半蚀刻区域的距离，小于所述引线框架的宽度；使用时，所述引线框架放置于所述垫块的上表面，所述引线框架的两端位于所述凹陷区外，两条所述半蚀刻区域均位于所述凹陷区内，所述下压件下压所述铜桥框架，使得所述引线框架在半蚀刻区域之间的结构向所述凹陷区凸出。将引线框架在半蚀刻区域之间的结构从向铜桥框架凸出修正为向远离铜桥框架方向凸出后，在塑封时，引线框架的半蚀刻区域之间的结构先与下模的上表面接触，半蚀刻区域外部的区域被下模的两侧压着固定，引线框架与下模的上表面之间不再有空隙，避免溢胶导致产品报废。

附图说明

图1是现有技术的叠合引线框架的俯视图。

图2是图1的A-A向剖视图。

图3是现有技术的叠合引线框架的变形后的示意图。

图4是现有技术的叠合引线框架在模具中的结构示意图。

图5是图4的B处的局部放大图。

图6是本实用新型中叠合引线框架与修正治具的结构示意图。

图7是图6的C处的局部放大图。

图8是本实用新型的修正后的叠合引线框架在模具中的结构示意图。

其中：