[实用新型]一种磁控溅射装置及磁控溅射系统有效
申请号: | 201621197024.1 | 申请日: | 2016-11-04 |
公开(公告)号: | CN206273836U | 公开(公告)日: | 2017-06-23 |
发明(设计)人: | 徐兴;李泽宇;周媛;魏志英 | 申请(专利权)人: | 广汉川冶新材料有限责任公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/54 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人: | 李佳 |
地址: | 618000 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种磁控溅射装置及磁控溅射系统,属于半导体制备领域。该磁控溅射装置包括壳体,壳体内设置有磁靶、靶材组件、用于安装基材的炉盘和用于调整靶材组件与基材之间的磁场强度的缓冲组件。磁靶固定于壳体的内壁并用于提供磁场,炉盘设置于壳体的内壁并用于安装基材,靶材组件设置于磁靶并与炉盘相对设置。缓冲组件设置于靶材组件和磁靶之间,缓冲组件包括驱动装置和至少两个依次叠放的调整板,每个调整板通过驱动装置移入或移出工作区域。这种磁控溅射装置和磁控溅射系统,能够通过缓冲组件有效的解决了现有的通过手动方式调节磁场强度的精度不高的问题,提高生产效率及半导体薄膜的质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 磁控溅射 装置 系统 | ||
【主权项】:
一种磁控溅射装置,其特征在于,包括壳体,所述壳体内设置有磁靶、靶材组件、用于安装基材的炉盘和用于调整所述靶材组件与所述基材之间的磁场强度的缓冲组件,所述磁靶固定于所述壳体的内壁并用于提供磁场,所述炉盘设置于所述壳体的内壁并用于安装基材,所述靶材组件设置于所述磁靶并与所述炉盘相对设置,所述缓冲组件设置于所述靶材组件和所述磁靶之间,所述缓冲组件包括驱动装置和至少两个依次叠放的调整板,每个所述调整板通过所述驱动装置移入或移出工作区域。
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