[实用新型]一种用于光电转换模块的雪崩二极管有效
申请号: | 201621191218.0 | 申请日: | 2016-11-05 |
公开(公告)号: | CN206148450U | 公开(公告)日: | 2017-05-03 |
发明(设计)人: | 陈柏;杨建成;陈宇;张承涛;陈嘉琳 | 申请(专利权)人: | 无锡亚天光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/107 | 分类号: | H01L31/107;H01L31/0203 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种用于光电转换模块的雪崩二极管,包括壳体,所述壳体的上表面开有凹槽,所述壳体的底部引出有阳极引线和阴极引线,所述阳极引线和阴极引线的一端连接有焊接柱,所述壳体的两侧设有焊接支架,所述焊接支架的表面设有圆孔,所述壳体内部设有钝化膜,所述钝化膜的上端设有P型硅基层,所述P型硅基层的下方设有吸收层,所述吸收层的下方设有增益层,所述增益层的下方设有N型硅基层,所述P型硅基层和N型硅基层之间形成键合界面层,该实用新型设计合理、结构简单、便于安装、响应度高、信噪比高等特点,值得大力推广。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 光电 转换 模块 雪崩 二极管 | ||
【主权项】:
一种用于光电转换模块的雪崩二极管,包括壳体(1),其特征在于:所述壳体(1)的上表面开有凹槽(10),所述壳体(1)的底部引出有阳极引线(2)和阴极引线(3),所述阳极引线(2)和阴极引线(3)的一端连接有焊接柱(11),所述壳体(1)的两侧设有焊接支架(4),所述焊接支架(4)的表面设有圆孔(12),所述壳体(1)内部设有钝化膜(13),所述钝化膜(13)的上端设有P型硅基层(8),所述P型硅基层(8)的下方设有吸收层(5),所述吸收层(5)的下方设有增益层(6),所述增益层(6)的下方设有N型硅基层(9),所述P型硅基层(8)和N型硅基层(9)之间形成键合界面层(7)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的