[实用新型]一种用于光电转换模块的雪崩二极管

说明书

技术领域

本实用新型属于光电转换材料技术领域，具体涉及一种用于光电转换模块的雪崩二极管。

背景技术

现代信息社会中，光是一种传递信息最快速的媒体，而光电传感器作为光信息检测系统中的关键部件，随着光纤通讯、激光测距、制导技术、遥测遥感和自动控制等高科技技术的发展，对高灵敏度的光电传感器的需求迅速增长。雪崩光电二极管因其量子效率高、功耗低、感光灵敏度强、工作频谱范围大、体积小、工作电压较低等优点，使它成为了具有最佳灵敏度光电传感器件的理想选择，开始代替原来的光电倍增管逐渐受到研究者的青睐。目前雪崩光电二极管广泛应用在光纤通讯、激光测距、单光子探测、制导技术等高科技领域。由于雪崩光电二极管在高技术领域的重要地位，它已经成为各发达国家光电子学界重点研究的课题之一。因此，发明一种用于光电转换模块的雪崩二极管，来解决上述问题很有必要。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种用于光电转换模块的雪崩二极管，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种用于光电转换模块的雪崩二极管，包括壳体，所述壳体的上表面开有凹槽，所述壳体的底部引出有阳极引线和阴极引线，所述阳极引线和阴极引线的一端连接有焊接柱，所述壳体的两侧设有焊接支架，所述焊接支架的表面设有圆孔，所述壳体内部设有钝化膜，所述钝化膜的上端设有P型硅基层，所述P型硅基层的下方设有吸收层，所述吸收层的下方设有增益层，所述增益层的下方设有N型硅基层，所述P型硅基层和N型硅基层之间形成键合界面层。

优选的，所述键合界面层为低温晶片键合。

优选的，所述焊接支架和圆孔设置为两组。

优选的，所述钝化膜的上端设有光敏层。

优选的，所述壳体与钝化膜之间设有石墨散热层。

本实用新型的技术效果和优点：该用于光电转换模块的雪崩二极管，通过InP/Si键合界面层的设置，使其具有高响应度，高信噪比等特点，通过焊接支架的设置，方便将产品的固定安装，通过石墨散热层的设置，提高了二极管的散热效率，减少了产品损坏率，该实用新型设计合理、结构简单、便于安装、响应度高、信噪比高等特点，值得大力推广。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型的内部结构示意图；

图3为本实用新型的石墨散热层结构示意图。

图中：1壳体、2阳极引线、3阴极引线、4焊接支架、5吸收层、6增益层、7键合界面层、8 P型硅基层、9 N型硅基层、10凹槽、11焊接柱、12圆孔、13钝化膜、14光敏层、15石墨散热层。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型提供了如图1-3所示的一种用于光电转换模块的雪崩二极管，包括壳体1，所述壳体1的上表面开有凹槽10，所述壳体1的底部引出有阳极引线2和阴极引线3，所述阳极引线2和阴极引线3的一端连接有焊接柱11，所述壳体1的两侧设有焊接支架4，所述焊接支架4的表面设有圆孔12，所述壳体1内部设有钝化膜13，所述钝化膜13的上端设有P型硅基层8，所述P型硅基层8的下方设有吸收层5，所述吸收层5的下方设有增益层6，所述增益层6的下方设有N型硅基层9，所述P型硅基层8和N型硅基层9之间形成键合界面层7。

进一步地，所述键合界面层7为低温晶片键合。

进一步地，所述焊接支架4和圆孔12设置为两组。

进一步地，所述钝化膜13的上端设有光敏层14。

进一步地，所述壳体1与钝化膜13之间设有石墨散热层15。

工作原理：使用时，壳体1内部设有钝化膜13，钝化膜13的上端设有P型硅基层8，P型硅基层8的下方连接有吸收层5，吸收层5的下方设有增益层6，增益层6的连接有N型硅基层9，P型硅基层8和N型硅基层9之间形成键合界面层7，提高了产品的响应度、信噪比等特点，钝化膜13的外侧设有石墨散热层15方便散热，通过焊接支架4方便将产品进行固定，该实用新型设计合理、结构简单、便于安装、响应度高、信噪比高等特点，值得大力推广。

最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。