[实用新型]一种钝化层结构及背表面钝化结构的太阳能电池有效
| 申请号: | 201621172134.2 | 申请日: | 2016-10-26 |
| 公开(公告)号: | CN206148439U | 公开(公告)日: | 2017-05-03 |
| 发明(设计)人: | 吴翔;陈璐;郭永刚;王举亮;刘军宝 | 申请(专利权)人: | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/068 |
| 代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所31251 | 代理人: | 郭桂峰 |
| 地址: | 710100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | 本实用新型公开了一种钝化层结构,采用二氧化硅钝化膜、第一氮化硅钝化膜、第二氮化硅钝化膜、氮氧化硅钝化膜组成的叠层钝化膜结构,从而克服了氮化硅钝化膜的界面缺陷密度高和硅氢键不稳定的缺点,解决了二氧化硅钝化膜金属离子阻挡能力差,易吸附水气,光的减反效果不好等缺点。提高了太阳能电池抗PID的效果。其中,氮氧化硅是介于氮化硅和二氧化硅间的一种物质,其折射率可在1.47(SiO2)~2.3(SiNx)之间。优化制膜工艺形成富氮的SiOxNy薄膜,结构与性能上趋向SiNx膜保留了SiO2的膜部分优点,提高了薄膜的物理与电学性能,可以使晶体硅的转化效率提高0.2%。并且本实用新型采用双层结构的二氧化硅钝化膜,能进一步提高其金属离子的阻挡能力及光的减反效果。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 钝化 结构 表面 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种钝化层结构,其特征在于,包括:二氧化硅钝化膜,沉积在一晶体硅衬底上;第一氮化硅钝化膜,沉积在所述二氧化硅钝化膜上;第二氮化硅钝化膜,沉积在所述第一氮化硅钝化膜上;氮氧化硅钝化膜,沉积在所述第二氮化硅钝化膜上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





