[实用新型]一种钝化层结构及背表面钝化结构的太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201621172134.2 申请日: 2016-10-26
公开(公告)号: CN206148439U 公开(公告)日: 2017-05-03
发明(设计)人: 吴翔;陈璐;郭永刚;王举亮;刘军宝 申请(专利权)人: 国家电投集团西安太阳能电力有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/068
代理公司: 上海硕力知识产权代理事务所31251 代理人: 郭桂峰
地址: 710100 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 实用新型公开了一种钝化层结构,采用二氧化硅钝化膜、第一氮化硅钝化膜、第二氮化硅钝化膜、氮氧化硅钝化膜组成的叠层钝化膜结构,从而克服了氮化硅钝化膜的界面缺陷密度高和硅氢键不稳定的缺点,解决了二氧化硅钝化膜金属离子阻挡能力差,易吸附水气,光的减反效果不好等缺点。提高了太阳能电池抗PID的效果。其中,氮氧化硅是介于氮化硅和二氧化硅间的一种物质,其折射率可在1.47(SiO2)~2.3(SiNx)之间。优化制膜工艺形成富氮的SiOxNy薄膜,结构与性能上趋向SiNx膜保留了SiO2的膜部分优点,提高了薄膜的物理与电学性能,可以使晶体硅的转化效率提高0.2%。并且本实用新型采用双层结构的二氧化硅钝化膜,能进一步提高其金属离子的阻挡能力及光的减反效果。
搜索关键词: 一种 钝化 结构 表面 太阳能电池
【主权项】:
一种钝化层结构,其特征在于,包括:二氧化硅钝化膜,沉积在一晶体硅衬底上;第一氮化硅钝化膜,沉积在所述二氧化硅钝化膜上;第二氮化硅钝化膜,沉积在所述第一氮化硅钝化膜上;氮氧化硅钝化膜,沉积在所述第二氮化硅钝化膜上。
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