[实用新型]一种钝化层结构及背表面钝化结构的太阳能电池

权利要求书

1.一种钝化层结构，其特征在于，包括：

二氧化硅钝化膜，沉积在一晶体硅衬底上；

第一氮化硅钝化膜，沉积在所述二氧化硅钝化膜上；

第二氮化硅钝化膜，沉积在所述第一氮化硅钝化膜上；

氮氧化硅钝化膜，沉积在所述第二氮化硅钝化膜上。

2.如权利要求1所述的钝化层结构，其特征在于，所述二氧化硅钝化膜的厚度为3-5纳米，其折射率为1.4～1.46。

3.如权利要求1所述的钝化层结构，其特征在于，所述第一氮化硅钝化膜的厚度为15-20纳米，其折射率为2.2～2.3。

4.如权利要求1所述的钝化层结构，其特征在于，所述第二氮化硅钝化膜的厚度为50-60纳米，其折射率为2.0～2.1。

5.如权利要求1所述的钝化层结构，其特征在于，所述氮氧化硅钝化膜的厚度为10-15纳米，其折射率为1.9～2.0。

6.一种背表面钝化结构的太阳能电池，其特征在于，包括晶体硅衬底、局部铝背场以及如权利要求1至5任一项所述的钝化层结构；其中，所述钝化层结构和所述局部铝背场依次沉积在所述晶体硅衬底的背表面上。