[实用新型]半导体激光器用电极片及组合结构有效
| 申请号： | 201621169905.2 | 申请日： | 2016-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN206236956U | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 崔卫军 | 申请（专利权）人： | 崔卫军 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/024 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙)11357 | 代理人： | 刘洪勋 |
| 地址： | 100185 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体激光器用电极片，包括用于覆盖芯片安装区的基部，所述基部的左侧延伸形成左延伸部；所述基部的右侧延伸形成右延伸部，所述基部相对于左延伸部和右延伸部向上突出。该电极片能够在和热沉的装配过程中避免芯片(巴条)和电极片本身损坏。本实用新型还提供了相应的电极片和半导体激光器热沉的组合结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 器用 电极 组合 结构 | ||
【主权项】：
半导体激光器用电极片，其特征在于，包括用于覆盖芯片安装区的基部，所述基部的左侧延伸形成左延伸部；所述基部的右侧延伸形成右延伸部，所述基部相对于左延伸部和右延伸部向上突出。
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