[实用新型]半导体激光器用电极片及组合结构

权利要求书

1.半导体激光器用电极片，其特征在于，包括用于覆盖芯片安装区的基部，所述基部的左侧延伸形成左延伸部；所述基部的右侧延伸形成右延伸部，所述基部相对于左延伸部和右延伸部向上突出。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器用电极片，其特征在于，左延伸部和右延伸部的末端均为自由端。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器用电极片，其特征在于，所述左延伸部包括自基部的左侧下半部分起水平延伸的左水平延伸部，左水平延伸部末端继续沿竖直方向延伸形成左竖直延伸部；所述右延伸部包括自基部的右侧下半部分起水平延伸的右水平延伸部，右水平延伸部末端继续沿竖直方向延伸形成右竖直延伸部。

4.根据权利要求3所述的半导体激光器用电极片，其特征在于，所述左竖直延伸部和右竖直延伸部的末端均为自由端。

5.根据权利要求1-4任一所述的半导体激光器用电极片，其特征在于，所述左延伸部和右延伸部的形状和尺寸均相同。

6.根据权利要求3所述的半导体激光器用电极片，其特征在于，所述基部的长度为9-10mm，向上侧突出部分的宽度为1-2mm。

7.根据权利要求3所述的半导体激光器用电极片，其特征在于，所述左竖直延伸部和右竖直延伸部的长度均为10-11mm。

8.根据权利要求3所述的半导体激光器用电极片，其特征在于，所述电极片的厚度为0.1mm。

9.一种电极片和半导体激光器热沉的组合结构，其特征在于，所述热沉包括热沉主体，热沉主体上设有芯片安装区和水冷区，芯片安装区位于热沉主体的一端，水冷区位于靠近芯片安装区的位置，所述芯片安装区的两侧设置有缺口；所述电极片为权利要求1-8任一所述的电极片，且电极片覆盖在热沉主体上方，所述基部与芯片安装区的位置对应，所述左延伸部和右延伸部分别覆盖热沉主体表面的左侧边缘和右侧边缘。