[实用新型]一种低欧姆接触的InPMOSHEMT器件有效
| 申请号： | 201621168559.6 | 申请日： | 2016-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN206116405U | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 黎明 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙)51223 | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种低欧姆接触的InP MOS HEMT器件，包括由下至上依次层叠的衬底、InP缓冲层、InAlAs缓冲层、InGaAs沟道层和InAlAs势垒层；沟道层和势垒层之间形成二维电子气，所述势垒层的源极区域和漏极区域开设有沟槽，所述沟槽内生长有外延层，在所述源极区域的外延层上形成有源极，在所述漏极区域的外延层上形成有漏极；在所述源漏极外延层内侧、势垒层的上方有掺杂盖帽层，所述盖帽层开设凹槽至势垒层上表面，并在露出的势垒层上沉积Al2O3介质，在Al2O3介质上形成有栅极。通过上述方式，本实用新型能够有效的提高沟道二维电子气的浓度，降低欧姆接触电阻，提升器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 欧姆 接触 inpmoshemt 器件 | ||
【主权项】：
一种低欧姆接触的InP MOS HEMT器件，其特征在于，包括由下至上依次层叠的衬底、非掺杂InP缓冲层、非掺杂InAlAs缓冲层、InGaAs沟道层和InAlAs势垒层；所述InGaAs沟道层和InAlAs势垒层之间形成二维电子气，所述InAlAs势垒层的源极区域和漏极区域开设有沟槽，所述沟槽从InAlAs势垒层表面深入InGaAs沟道层内部，所述沟槽内生长有n型InGaN外延层，在所述源极区域的n型InGaN外延层上形成有源极，在所述漏极区域的n型InGaN外延层上形成有漏极；在所述源漏极外延层内侧、势垒层的上方有掺杂盖帽层，所述盖帽层开设凹槽至InAlAs势垒层上表面，并在露出的InAlAs势垒层上沉积Al2O3介质，在Al2O3介质上形成有栅极。
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