[实用新型]一种低欧姆接触的InPMOSHEMT器件

权利要求书

1.一种低欧姆接触的InP MOS HEMT器件，其特征在于，包括由下至上依次层叠的衬底、非掺杂InP缓冲层、非掺杂InAlAs缓冲层、InGaAs沟道层和InAlAs势垒层；所述InGaAs沟道层和InAlAs势垒层之间形成二维电子气，所述InAlAs势垒层的源极区域和漏极区域开设有沟槽，所述沟槽从InAlAs势垒层表面深入InGaAs沟道层内部，所述沟槽内生长有n型InGaN外延层，在所述源极区域的n型InGaN外延层上形成有源极，在所述漏极区域的n型InGaN外延层上形成有漏极；在所述源漏极外延层内侧、势垒层的上方有掺杂盖帽层，所述盖帽层开设凹槽至InAlAs势垒层上表面，并在露出的InAlAs势垒层上沉积Al₂O₃介质，在Al₂O₃介质上形成有栅极。

2.根据权利要求1所述的低欧姆接触的InP MOS HEMT器件，其特征在于：所述源极、漏极以及栅极金属均为多层金属。

3.根据权利要求2所述的低欧姆接触的InP MOS HEMT器件，其特征在于：所述源漏极多层金属为Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au，栅极多层金属为Ti/Pt/Au。

4.根据权利要求1所述的低欧姆接触的InP MOS HEMT器件，其特征在于：所述衬底为InP衬底、Si衬底、SiC衬底或蓝宝石衬底。

5.根据权利要求1所述的低欧姆接触的InP MOS HEMT器件，其特征在于：所述n型InGaN外延层厚度为200至300Å，用于和栅极金属形成肖特基接触。

6.根据权利要求1所述的低欧姆接触的InP MOS HEMT器件，其特征在于：InGaAs沟道层厚度为200～320Å，用于在低场下为二维电子气提供导电沟道。

7.根据权利要求1所述的低欧姆接触的InP MOS HEMT器件，其特征在于：所述盖帽层厚度为150～300 Å，用于为器件制备提供良好的欧姆接触。

8.根据权利要求1所述的低欧姆接触的InP MOS HEMT器件，其特征在于：所述InP缓冲层厚度为400～800nm；所述InAlAs缓冲层厚度为100~300nm。