[实用新型]多室化学气相沉积系统有效
| 申请号: | 201621025123.1 | 申请日: | 2016-08-31 |
| 公开(公告)号: | CN206127419U | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
| 发明(设计)人: | 乔治·帕帕索利奥蒂斯;米格尔·索尔达娜;布雷特·斯诺登;尤利·拉什科夫斯基;迈克尔·佩奇 | 申请(专利权)人: | 维易科仪器有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 陈炜 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 本实用新型公开了一种化学气相沉积系统。所述化学气相沉积系统具有多个反应室以在各个所述反应室内的晶片上外延层生长中进行独立地操作,以减少加工时间且同时保持制造高性能半导体装置所必需的质量。 | ||
| 搜索关键词: | 化学 沉积 系统 | ||
【主权项】:
一种化学气相沉积系统,其包括:具有第一输出和第二输出的自动化前端界面,其包括‑加工托盘壳体,其被配置成容纳两个以上的加工托盘;晶片盒,其被配置成容纳两个以上的晶片;对位器,其被配置成将第一晶片对齐在第一加工托盘上并且将第二晶片对齐在第二加工托盘上;以及界面机械臂,其被配置成转移:所述第一晶片和所述第一加工托盘至所述对位器以将所述第一晶片对齐在所述第一加工托盘上,所述第二晶片和所述第二加工托盘至所述对位器以将所述第二晶片对齐在所述第二加工托盘上,所述对齐的第一晶片和加工托盘至所述第一输出,以及所述对齐的第二晶片和加工托盘至所述第二输出;能够保持受控环境的第一装载锁定室,所述第一装载锁定室具有第一门和第二门,所述第一门与所述自动化前端界面的所述第一输出连通,其中所述第一装载锁定室被配置成通过所述第一门从所述第一输出接收所述对齐的第一晶片和加工托盘;能够保持受控环境的第二装载锁定室,所述第二装载锁定室具有第一门和第二门,所述第一门与所述自动化前端界面的所述第二输出连通,其中所述第二装载锁定室被配置成通过所述第一门从所述第二输出接收所述对齐的第二晶片和加工托盘;以及与所述第一和第二装载锁定室的所述第二门进行连通的真空转移模块,所述真空转移模块具有双叶片机械臂,其被配置成操控所述对齐的第一晶片和加工托盘以及所述对齐的第二晶片和加工托盘从各自的第一和第二装载锁定室至与所述真空转移模块连通的一个或多个反应室对。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





