[实用新型]低压大电流Mosfet功率模块

摘要

本实用新型公开了低压大电流Mosfet功率模块，包括全铜散热基底、陶瓷板、驱动保护线路板以及Mosfet芯片，Mosfet芯片两两并联形成Mosfet芯片阵列；所述驱动保护线路板和陶瓷板均固定在全铜散热基底上，所述Mosfet芯片阵列固定在陶瓷板上，且Mosfet芯片中每一个Mosfet芯片的漏极均与陶瓷板焊接，每一个Mosfet芯片的栅极和源极均与驱动保护线路板连接；所述驱动保护线路板用于根据来自外部的通断信号输出正反压驱动信号至Mosfet芯片阵列。本实用新型利用全铜散热基底结合陶瓷板有效解决了散热困难的问题，提供大面积的电流通道，多个Mosfet芯片同时驱动，使得通过的电流能够超过3000A。

主权项

低压大电流Mosfet功率模块，其特征在于，包括全铜散热基底、陶瓷板、驱动保护线路板以及若干个Mosfet芯片，若干个Mosfet芯片两两并联连接形成Mosfet芯片阵列；所述驱动保护线路板和陶瓷板均固定在全铜散热基底上，所述Mosfet芯片阵列固定在陶瓷板上，且Mosfet芯片中每一个Mosfet芯片的漏极均与陶瓷板焊接，每一个Mosfet芯片的栅极和源极均与驱动保护线路板连接；所述驱动保护线路板用于根据来自外部的通断信号输出正反压驱动信号至Mosfet芯片阵列，以控制Mosfet芯片阵列的通断。