[实用新型]带屏蔽电极的功率MOSFET元胞有效
| 申请号： | 201621005083.4 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN205959988U | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 周祥瑞;冷德武;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司32224 | 代理人： | 陈彩霞 |
| 地址： | 225008 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 带屏蔽电极的功率MOSFET元胞。涉及半导体器件制造领域，尤其涉及一种功率MOSFET元胞及其加工工艺。提供了一种工艺简单、成本低、控制难度小，与现有MOSFET元胞结构相比，能耗更低且性能稳定的带屏蔽电极的功率MOSFET元胞。所述外延层的第一主面上设有P型区域和N型区域，所述外延层的第二主面设有衬底，所述衬底上设有漏极金属层；所述外延层的第一主面设有栅极多晶硅层，所述栅极多晶硅层与所述外延层之间设有栅极氧化层；所述源极多晶硅与所述沟槽的侧壁之间设有氧化硅层。本实用新型提升芯片抗过压和抗过流的能力，从而提升芯片的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽电极 功率 mosfet | ||
【主权项】：
带屏蔽电极的功率MOSFET元胞，包括外延层，所述外延层的第一主面上设有P型区域和N型区域，所述外延层的第二主面设有衬底，所述衬底上设有漏极金属层；其特征在于，所述外延层的第一主面设有栅极多晶硅层，所述栅极多晶硅层与所述外延层之间设有栅极氧化层；所述栅极多晶体硅层的上方覆盖源极金属层，所述源极金属层与所述栅极多晶硅层之间依次设有氧化硅层和绝缘介质层；所述外延层的侧边设有沟槽，所述沟槽内填充源极多晶硅，所述源极多晶硅上表面低于N极区域，高于P极区域底部；所述源极多晶硅与所述沟槽的侧壁之间设有氧化硅层。
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