[实用新型]一种平面栅功率器件

摘要

本实用新型提供了一种平面栅功率器件，通过光刻和刻蚀工艺形成接触孔后，先进行P型区注入以及退火工艺形成P型区，再刻蚀接触孔侧壁的掩蔽层，暴露出N型区的上表面，即可实现N型区的平面横向接触，保证N型区的接触面积，避免导通电阻等异常情况的出现，本实用新型在减少光刻成本情况下保证器件的结构实现，同时使产品的参数和可靠性满足要求。

主权项

一种平面栅功率器件，其特征在于，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的栅极材料层；形成于所述栅极材料层中的第一窗口；形成于所述第一窗口下方的半导体衬底中的P阱；形成于所述P阱中的N型区；形成于所述栅极材料层上的掩蔽层；暴露所述N型区的第二窗口，所述第二窗口的横截面宽度小于所述第一窗口的横截面宽度；形成于所述第二窗口底部的P型区，所述P型区穿透所述N型区；与所述第二窗口连通的第三窗口，所述第三窗口的横截面宽度大于所述第二窗口的横截面宽度，以暴露所述N型区的上表面；以及填充于所述第三窗口中的源极结构。