[实用新型]一种高频功率扼流圈有效
申请号: | 201620429000.8 | 申请日: | 2016-05-12 |
公开(公告)号: | CN205692646U | 公开(公告)日: | 2016-11-16 |
发明(设计)人: | 郭立功 | 申请(专利权)人: | 延安璟达电子科技有限公司 |
主分类号: | H01F17/06 | 分类号: | H01F17/06;H01F3/14 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 韩玙 |
地址: | 716000 陕西省延安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种高频功率扼流圈,包括非晶微晶材料卷绕的中柱,中柱的外部套接有线圈,线圈的外部套接有非晶微晶材料卷绕的侧柱,中柱、线圈、侧柱的上方有非晶微晶材料卷绕的上盖,中柱、线圈、侧柱的下方有非晶微晶材料卷绕的底板,上盖、侧柱、线圈、中柱、底板之间灌封。本实用新型一种高频功率扼流圈采用非晶微晶材料制造,通过改变传统磁路走向的习惯思维,搭建一个闭合磁路,避免了材料的机加工切口操作,既能发挥该类材料Bs高的优势,又能利用该类材料损耗低的优势。本实用新型一种高频功率扼流圈功率损耗小、频率适应性好、体积小、重量轻、EMC特性好、可靠性高、成本低廉。 | ||
搜索关键词: | 一种 高频 功率 扼流圈 | ||
【主权项】:
一种高频功率扼流圈,其特征在于,包括非晶微晶材料卷绕的中柱(3),中柱(3)的外部套接有线圈(2),线圈(2)的外部套接有非晶微晶材料卷绕的侧柱(4),中柱(3)、线圈(2)、侧柱(4)的上方有非晶微晶材料卷绕的上盖(1),中柱(3)、线圈(2)、侧柱(4)的下方有非晶微晶材料卷绕的底板(5),上盖(1)、侧柱(4)、线圈(2)、中柱(3)、底板(5)之间灌封。
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