[实用新型]用于监控LDD掺杂区电阻的测试版图及测试结构有效

专利信息
申请号: 201620427533.2 申请日: 2016-05-10
公开(公告)号: CN205643619U 公开(公告)日: 2016-10-12
发明(设计)人: 周飞 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;H01L21/66
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 300385 天津市西青*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 实用新型提供一种用于监控LDD掺杂区电阻的测试版图及测试结构,所述测试版图包括具有不同的源漏极区外延生长遮挡区的第一测试版图区、第二测试版图区以及第三测试版图区,利用所述测试版图能够对应制造出具有不同源漏极区外延生长情况的第一测试结构、第二测试结构和第三测试结构三种测试子结构,从而可以通过测试并获取这三种测试子结构中的电阻值,来确定LDD掺杂区的单位电阻,进而可以监控在器件区域分别形成外延生长层的同时进行原位掺杂而获得LDD掺杂区的工艺是否满足要求,以及时调整外延生长工艺中的原位掺杂工艺参数。
搜索关键词: 用于 监控 ldd 掺杂 电阻 测试 版图 结构
【主权项】:
一种用于监控LDD掺杂区电阻的测试版图,其特征在于,包括:第一测试版图区,所述第一测试版图区包括:两个第一测试端子区、平行设置在所述两个测试端子区之间的多条条状外延层遮挡区、平行设置在所述两个第一测试端子区之间且与所有的条状外延层遮挡区垂直相交的第一条状有源区,每条所述的第一条状有源区的两端分别延伸至所述两个第一测试端子区,相邻两条所述条状外延层遮挡区之间设有间隔,所述间隔中的每条所述的第一条状有源区的源极区部分、漏极区部分分别为外延层生长区;第二测试版图区,所述第二测试版图区包括:两个第二测试端子区、铺满所述两个第二测试端子区之间的有效区域的块状外延层遮挡区、平行设置在所述有效区域内的多条第二条状有源区,每条所述的第二条状有源区的两端分别延伸至所述两个第二测试端子区;以及第三测试版图区,所述第三测试版图区包括:两个第三测试端子区、平行设置在所述两个第三测试端子区之间的多条第三条状有源区,每条所述的第三条状有源区的两端分别延伸至所述两个第三测试端子区,每条所述的第三条状有源区的源极区和漏极区为外延层生长区。
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