[实用新型]等离子处理装置、屏蔽环及屏蔽环用部件有效
| 申请号： | 201620260931.X | 申请日： | 2016-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN205900502U | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 富冈哲也 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 戚宏梅,杨谦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及等离子处理装置、屏蔽环及屏蔽环用部件。等离子处理装置具备载置体和屏蔽环，该载置体具有载置台和遍及所述载置台的整周地形成的凸缘部，该屏蔽环形成为框状，并且配置在所述凸缘部上，具有第1电介质和第2电介质，该第1电介质在与所述凸缘部对置的一侧具有遍及整周地形成的凹部，并且具有第1介电常数，该第2电介质具有比第1介电常数低的第2介电常数，并且在所述凹部的内部遍及整周地形成。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 处理 装置 屏蔽 部件 | ||
【主权项】：
一种等离子处理装置，其中，具备载置体和屏蔽环，所述载置体具有载置台和遍及所述载置台的整周地形成的凸缘部，所述屏蔽环形成为框状且配置在所述凸缘部上，具有第1电介质和第2电介质，该第1电介质在与所述凸缘部对置的一侧具有遍及整周地形成的凹部，并且具有第1介电常数，该第2电介质具有比第1介电常数低的第2介电常数，在所述凹部的内部遍及整周地形成。
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