[实用新型]一种准确定位晶圆长晶曲线的MOCVD设备有效
| 申请号： | 201620234119.X | 申请日： | 2016-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN205443507U | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 江汉;蓝永凌;黄文宾;林兓兓;张家宏 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/16;C30B25/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体技术领域，尤其涉及一种准确定位晶圆长晶曲线的MOCVD设备，通过更改载盘上表面凹槽的形状及凹槽的排列方式，同时改变探测装置的位置，实现在不减少晶圆衬底放置量的同时，找到同圈中长晶曲线不同于其它长晶曲线的晶圆位置，并因此推出晶圆长晶曲线与晶圆衬底的一一对应关系。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 准确 定位 晶圆长晶 曲线 mocvd 设备 | ||
【主权项】：
一种准确定位晶圆长晶曲线的MOCVD设备，其至少包括：一化学气相沉积室；监测和控制沉积室运行的监测控制系统；载盘，所述载盘上表面具有尺寸相同的复数个放置晶圆的凹槽，所述凹槽圈状排列；加热组件，位于化学气相沉积室中，并设置于所述载盘下方，用以辐射加热该载盘；位于晶圆上方，探测晶圆长晶状态的探测装置；其特征在于：每圈所述凹槽包括一个定位凹槽和复数个非定位凹槽，所述定位凹槽和非定位凹槽内均放置有晶圆，所述探测装置探测到的所述定位凹槽区域的长晶状态与非定位凹槽区域不同，所述监测控制系统显示的所述定位凹槽区域与所述非定位凹槽区域的长晶曲线不同。
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