[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201611264430.X | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN107039280B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 樊圣亭;陈品翔;刘致为;刘继文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;刘致为 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郑特强;李昕巍 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置及其制造方法。在本发明实施例中，使用一拓扑绝缘体形成通道和源/漏极区两者，其中上述通道具有一第一厚度，使上述拓扑绝缘体具有一半导体材料的性质。并且上述源/漏极区具有一第二厚度，使上述拓扑绝缘体具有一导电材料的性质。本发明可以通过调整半导体装置材料的厚度，进而改变半导体装置材料的导电性质。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：于一基板上成长一第一材料的一第一层至一第一厚度，且该第一厚度小于一关键厚度；于该第一材料的该第一层上方沉积一栅极介电层和一栅极层；图案化该栅极介电层和该栅极层成为一栅极堆叠；图案化该第一材料的该第一层以暴露该基板的一部分；以及于该基板的一部分成长源/漏极区，其中成长所述源/漏极区的该步骤是成长该第一材料至一厚度，其大于该关键厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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