[发明专利]基于III-V族氮化物半导体的LED全彩显示器件结构及制备方法

摘要

本发明提供一种基于III‑V族氮化物半导体的LED全彩显示器件结构及制备方法，包括：有源矩阵驱动硅基背板，包括若干个驱动单元；LED微像素阵列，位于有源矩阵驱动硅基背板表面，包括若干个LED微像素；各LED微像素均包括发光材料层及阳极，各LED微像素的阳极分别与与其对应的驱动单元的阳极相连接；发光材料层位于LED微像素的阳极表面；第一导电类型III‑V族氮化物层，位于各LED微像素的发光材料层表面，且将各LED微像素相连接；彩色显示所需的颜色转换膜，位于第一导电类型的III‑V族氮化物层表面。各LED微像素及各颜色转换膜均通过厚度很小的第一导电类型III‑V族氮化物层相连接，既可以缩小相邻LED微像素的间距，以提高分辨率，又可以降低相邻颜色转换膜之间的串扰。

主权项

一种基于III‑V族氮化物半导体的LED全彩显示器件结构，其特征在于，所述基于III‑V族氮化物半导体的LED全彩显示器件结构包括：有源矩阵驱动硅基背板，所述有源矩阵驱动硅基背板内包括若干个驱动单元，每个所述驱动单元均包括阳极及共用阴极；LED微像素阵列，位于所述有源矩阵驱动硅基背板表面，包括若干个LED微像素；所述LED微像素在所述有源矩阵驱动硅基板表面呈阵列分布；各所述LED微像素均包括发光材料层及阳极，各所述LED微像素的阳极均位于所述有源矩阵驱动硅基背板表面，且分别与与其对应的所述驱动单元的阳极相连接；所述发光材料层位于所述LED微像素的所述阳极表面；第一导电类型III‑V族氮化物层，位于各所述LED微像素的发光材料层表面，且将各所述LED微像素相连接；彩色显示所需的颜色转换膜，位于所述第一导电类型的III‑V族氮化物层表面。