[发明专利]一种半导体的制备方法、半导体、显示面板及显示装置有效
| 申请号： | 201611256880.4 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106601595B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 邢升阳 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/16;H01L29/167;H01L29/786;C23C16/04 |
| 代理公司： | 44280 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 钟子敏<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体的制备方法、半导体、显示面板及显示装置，所述半导体制备方法包括：提供衬底基板；利用第一掩膜板，通过化学气相沉积的方法，在所述衬底基板上沉积非晶硅的同时通入第一浓度的第一掺杂物质，进而在所述第一掩膜板的第一开口区形成第一掺杂非晶硅层；利用第二掩膜板，通过所述化学气相沉积的方法，在所述衬底基板上沉积非晶硅的同时通入第二浓度的第二掺杂物质，进而在所述第二掩膜板的第二开口区形成第二掺杂非晶硅层，所述第一掺杂非晶硅层和所述第二掺杂非晶硅层共同组成所述半导体的非晶硅层。通过上述方式，本发明能够简化制备半导体工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体的制备方法，其特征在于，包括：/n提供衬底基板；/n利用第一掩膜板，通过化学气相沉积的方法，在所述衬底基板上沉积非晶硅的同时通入第一浓度的第一掺杂物质，进而在所述第一掩膜板的第一开口区形成第一掺杂非晶硅层；/n利用第二掩膜板，通过所述化学气相沉积的方法，在所述衬底基板上沉积非晶硅的同时通入第二浓度的第二掺杂物质，进而在所述第二掩膜板的第二开口区形成第二掺杂非晶硅层，所述第一掺杂非晶硅层和所述第二掺杂非晶硅层共同组成所述半导体的非晶硅层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
