[发明专利]一种半导体的制备方法、半导体、显示面板及显示装置

权利要求书

1.一种半导体的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底基板；

利用第一掩膜板，通过化学气相沉积的方法，在所述衬底基板上沉积非晶硅的同时通入第一浓度的第一掺杂物质，进而在所述第一掩膜板的第一开口区形成第一掺杂非晶硅层；

利用第二掩膜板，通过所述化学气相沉积的方法，在所述衬底基板上沉积非晶硅的同时通入第二浓度的第二掺杂物质，进而在所述第二掩膜板的第二开口区形成第二掺杂非晶硅层，所述第一掺杂非晶硅层和所述第二掺杂非晶硅层共同组成所述半导体的非晶硅层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用第二掩膜板，通过所述化学气相沉积的方法，在所述衬底基板上沉积非晶硅的同时通入第二浓度的第二掺杂物质，进而在所述第二掩膜板的第二开口区形成第二掺杂非晶硅层之后进一步包括，

利用第三掩膜板，通过所述化学气相沉积的方法，在所述衬底基板上沉积非晶硅的同时通入第三浓度的第二掺杂物质，进而在所述第三掩膜板的第三开口区形成第三掺杂非晶硅层，所述第一掺杂非晶硅层、所述第二掺杂非晶硅层、所述第三掺杂非晶硅层共同组成所述半导体的非晶硅层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当在所述衬底基板上制备N型或P型半导体时，

若所述第二掺杂非晶硅层位于所述第一掺杂非晶硅层和所述第三掺杂非晶硅层之间，则所述第二浓度小于所述第三浓度；

若所述第三掺杂非晶硅层位于所述第一掺杂非晶硅层和所述第二掺杂非晶硅层之间，则所述第三浓度小于所述第二浓度。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当在所述衬底基板上同时制备N型和P型半导体时，所述利用第三掩膜板，通过所述化学气相沉积的方法，在所述衬底基板上沉积非晶硅的同时通入第三浓度的第二掺杂物质，进而在所述第三掩膜板的第三开口区形成第三掺杂非晶硅层之后包括，

利用第四掩膜板，通过所述化学气相沉积的方法，在所述衬底基板上沉积非晶硅的同时通入第四浓度的第一掺杂物质，进而在所述第四掩膜板的第四开口区形成第四掺杂非晶硅层，所述第一掺杂非晶硅层、所述第二掺杂非晶硅层、所述第三掺杂非晶硅层、所述第四掺杂非晶硅层共同组成所述半导体的非晶硅层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

所述第四浓度大于第一浓度；所述第三浓度大于第二浓度。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用第二掩膜板，通过化学气相沉积的方法，在所述衬底基板上沉积非晶硅的同时通入第二浓度的第二掺杂物质，进而在所述第二掩膜板的第二开口区形成第二掺杂非晶硅层，所述第一掺杂非晶硅层和所述第二掺杂非晶硅层共同组成所述半导体的非晶硅层之后包括，

对所述衬底基板上的所述非晶硅层进行退火处理；在所述非晶硅层上依次制备栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源漏电极；

或者，对所述衬底基板上的所述非晶硅层进行退火处理；利用准分子激光退火技术将所述非晶硅层转化为多晶硅层；在所述多晶硅层上依次制备栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源漏电极。

7.一种半导体，其特征在于，所述半导体为采用如权利要求1-6任一项所述的方法制备。

8.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求7所述的半导体。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8所述的显示面板及背光模组。