[发明专利]一种降低硅片体内复合的新型扩散工艺

摘要

本发明提供了一种降低硅片体内复合的新型扩散工艺，包括如下步骤，首先，将硅片放入扩散炉中，升温到750℃—800℃，炉中通入吹扫氮气；再通入氧气和吹扫氮气，持续时间5‑10分钟，在硅片表面形成一层氧化层；然后在扩散炉管中通入吹扫氮气，并通入扩散氮气和氧气的混合气体，保持温度是750℃—800℃，持续时间10‑25分钟；通入氧气和吹扫氮气，升温至850℃—860℃之间，持续时间是10‑15分钟；保持通入氧气和吹扫氮气，温度降到750℃—800℃之间，持续时间是20—35分钟，最后出炉。本发明改变了扩散工艺控制多晶硅扩散的杂质浓度，降低了硅片的体内复合速度，同时，可以降低太阳能电池的饱和暗电流，提高开路电压。

主权项

一种降低硅片体内复合的新型扩散工艺，其特征在于：包括如下步骤，S1、将硅片放入扩散炉中，升温到750℃—800℃，炉中通入2L/min的吹扫氮气；S2、氧化：通入氧气和吹扫氮气，持续时间5‑10分钟，在硅片表面形成一层氧化层；S3、通源：在扩散炉管中通入吹扫氮气，所述吹扫氮气的通量为8L/min‑15L/min，并通入扩散氮气和氧气的混合气体，保持温度是750℃—800℃，持续时间10‑25分钟；S4、升温推结：通入氧气和吹扫氮气，升温至850℃—860℃之间，持续时间是10‑15分钟；S5、降温冷却：保持通入氧气和吹扫氮气，温度降到750℃—800℃之间，持续时间是20—35分钟；S6、出炉，出炉温度设定为750℃，炉中通入2L/min的吹扫氮气。