[发明专利]一种降低硅片体内复合的新型扩散工艺

权利要求书

1.一种降低硅片体内复合的新型扩散工艺，其特征在于：包括如下步骤，

S1、将硅片放入扩散炉中，升温到750℃—800℃，炉中通入2L/min的吹扫氮气；

S2、氧化：通入氧气和吹扫氮气，持续时间5-10分钟，在硅片表面形成一层氧化层；

S3、通源：在扩散炉管中通入吹扫氮气，所述吹扫氮气的通量为8L/min-15L/min，并通入扩散氮气和氧气的混合气体，保持温度是750℃—800℃，持续时间10-25分钟；

S4、升温推结：通入氧气和吹扫氮气，升温至850℃—860℃之间，持续时间是10-15分钟；

S5、降温冷却：保持通入氧气和吹扫氮气，温度降到750℃—800℃之间，持续时间是20—35分钟；

S6、出炉，出炉温度设定为750℃，炉中通入2L/min的吹扫氮气。

2.如权利要求1所述的一种降低硅片体内复合的新型扩散工艺，其特征在于：所述S2中氧气的通量为0.05 L /min—0.1 L /min ，吹扫氮气的通量为8L/min-15L/min。

3.如权利要求1所述的一种降低硅片体内复合的新型扩散工艺，其特征在于：所述S3中扩散氮气和氧气体积比为3：5。

4.如权利要求1所述的一种降低硅片体内复合的新型扩散工艺，其特征在于：所述S4中氧气的通量为1L/min—2L/min，所述吹扫氮气得通量为8L/min—15L/min。

5.如权利要求1所述的一种降低硅片体内复合的新型扩散工艺，其特征在于：所述S5中氧气通量为1L/min—2L/min，所述吹扫氮气通量为8L/min—15L/min。