[发明专利]聚多巴胺修饰n型半导体材料在构建光电免疫传感器中的应用有效
| 申请号： | 201611245830.6 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN106645350B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 胡卫华;杨艳 | 申请（专利权）人： | 西南大学 |
| 主分类号： | G01N27/327 | 分类号： | G01N27/327;G01N33/68;G01N33/574;G01N33/569;G01N33/577 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400715*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及聚多巴胺修饰n型半导体材料在构建光电免疫传感器中的应用，利用聚多巴胺薄膜修饰n型半导体材料来构建光电免疫传感器，其中，聚多巴胺具有吸收可见光的能力，能够作为一种有效的光敏剂拆分电荷、转移电子，因此可以增加传感器的光电流响应，同时，聚多巴胺的分子结构中具有邻苯二羟基的结构，此功能团可以与蛋白质中的氨基发生反应从而可以固定生物探针分子而不需要额外的中间介质，使得光电免疫传感器的结构更加简单，保证了该光电免疫传感器的稳定性，以其构建的光电免疫传感器具有较高的灵敏度、特异性和稳定性，适用于所有的蛋白质的检测，还可以用于其他生物分子如DNA、细胞等的检测。 | ||
| 搜索关键词： | 免疫传感器 聚多巴胺 构建 修饰 蛋白质 氨基 固定生物探针 聚多巴胺薄膜 光电流响应 可见光 分子结构 其他生物 中间介质 灵敏度 电荷 传感器 二羟基 光敏剂 检测 应用 细胞 吸收 保证 | ||
【主权项】：
1.聚多巴胺修饰n型半导体材料在构建光电免疫传感器中的应用，其特征在于，所述光电免疫传感器的制作方法为：（1）在FTO玻璃片上生长n型半导体材料：首先，将清洗后的FTO玻璃片导电面朝下斜靠于装有生长液的烧杯壁上，然后，将所述烧杯放入65‑95℃水浴锅中0.5‑4h，最后，取出所述玻璃片冲洗后吹干，制得n型半导体材料/FTO电极；（2）在n型半导体材料/FTO电极上生长聚多巴胺薄膜：将步骤（1）中制得n型半导体材料/FTO电极浸没在多巴胺溶液中2‑24h，取出所述n型半导体材料/FTO电极冲洗后吹干，制得PDA/n型半导体材料/FTO电极；（3）在PDA/n型半导体材料/FTO电极上固定抗体分子：将步骤（2）中制得的PDA/n型半导体材料/FTO电极浸没在抗体溶液中0.5‑24h，取出所述PDA/ n型半导体材料/FTO电极冲洗后再将其浸没在牛血清蛋白溶液中0.25‑24h，取出所述PDA/ n型半导体材料/FTO电极冲洗后制得光电免疫传感器。
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