[发明专利]聚多巴胺修饰n型半导体材料在构建光电免疫传感器中的应用

权利要求书

1.聚多巴胺修饰n型半导体材料在构建光电免疫传感器中的应用，其特征在于，所述光电免疫传感器的制作方法为：

（1）在FTO玻璃片上生长n型半导体材料：首先，将清洗后的FTO玻璃片导电面朝下斜靠于装有生长液的烧杯壁上，然后，将所述烧杯放入65-95℃水浴锅中0.5-4h，最后，取出所述玻璃片冲洗后吹干，制得n型半导体材料/FTO电极；

（2）在n型半导体材料/FTO电极上生长聚多巴胺薄膜：将步骤（1）中制得n型半导体材料/FTO电极浸没在多巴胺溶液中2-24h，取出所述n型半导体材料/FTO电极冲洗后吹干，制得PDA/n型半导体材料/FTO电极；

（3）在PDA/n型半导体材料/FTO电极上固定抗体分子：将步骤（2）中制得的PDA/n型半导体材料/FTO电极浸没在抗体溶液中0.5-24h，取出所述PDA/ n型半导体材料/FTO电极冲洗后再将其浸没在牛血清蛋白溶液中0.25-24h，取出所述PDA/ n型半导体材料/FTO电极冲洗后制得光电免疫传感器。

2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，步骤（1）中，所述n型半导体材料为氧化锌纳米棒或二氧化钛纳米线中的一种。

3.根据权利要求2所述的应用，其特征在于，所述光电免疫传感器的制作方法为：

（1）在FTO玻璃片上生长氧化锌纳米棒：首先，将清洗后的FTO玻璃片导电面朝下斜靠于装有生长液的烧杯壁上，然后，将所述烧杯放入75℃水浴锅中2h，最后，取出所述玻璃片冲洗后吹干，制得ZnO/FTO电极；

（2）在ZnO/FTO电极上生长聚多巴胺薄膜：将步骤（1）中制得ZnO/FTO电极浸没在多巴胺溶液中3h，取出所述ZnO/FTO电极冲洗后吹干，制得PDA/ZnO/FTO电极；

（3）在PDA/ZnO/FTO电极上固定抗体分子：将步骤（2）中制得的PDA/ZnO/FTO电极浸没在抗体溶液中1h，取出所述PDA/ZnO/FTO电极冲洗后再将其浸没在牛血清蛋白溶液中15min，取出所述PDA/ZnO/FTO电极冲洗后制得光电免疫传感器。

4.根据权利要求3所述的应用，其特征在于，步骤（1）中，所述生长液的配制方法为将2.97g六水合硝酸锌、3mL氨水、1mL乙二胺依次加入100mL水中。

5.根据权利要求1至4任一项所述的应用，其特征在于，步骤（1）中，所述清洗为依次经过丙酮、无水乙醇、水超声处理，所述超声处理为每种清洗液中超声清洗三次，每次5min。

6.根据权利要求1至4任一项所述的应用，其特征在于，步骤（1）和步骤（2）中，所述冲洗为经水冲洗。

7.根据权利要求1至4任一项所述的应用，其特征在于，步骤（2）中，所述多巴胺溶液的浓度为2 mg/mL，配制方法为将多巴胺溶于pH=8.5的三羟甲基氨基甲烷-盐酸缓冲溶液中。

8.根据权利要求1至4任一项所述的应用，其特征在于，步骤（3）中，所述冲洗为经过TBS洗液、水依次冲洗；所述TBS洗液的配置方法为将6g三羟甲基氨基甲烷-盐酸盐、8g氯化钠、0.2g氯化钾溶于1 L水中，调pH至8后再加入500 μL吐温20。

9.根据权利要求1至4任一项所述的应用，其特征在于，步骤（3）中，所述牛血清蛋白溶液的浓度为2 mg/mL，配制方法为将牛血清蛋白溶于0.01M的PBS缓冲液中。