[发明专利]具有电阻经减小的互连件的存储器装置有效
| 申请号： | 201611245305.4 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN107039061B | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 赛尔·普特·辛格;陈炎辉;维那希·加德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;G11C8/08;G11C7/10;G11C8/16;G11C5/06 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及具有电阻经减小的互连件的存储器装置。根据本发明的一些实施例，一种互连结构包含下部互连层、中间互连层和上部互连层。所述下部互连层中的第一导线和第二导线大体上在第一方向上跨存储器阵列区延伸，且所述下部互连层中的额外下部导线大体上在所述第一方向上跨外围区延伸。所述中间互连层中的第一多个导线段大体上在所述第一方向上跨所述存储器阵列区延伸，且所述中间互连层中的额外中间导线段大体上在第二垂直方向上跨所述外围区延伸。所述上部互连层中的第二多个导线段大体上在所述第一方向上跨所述存储器阵列区延伸，且所述上部互连层中的额外上部导线段大体上在所述第一方向上跨所述外围区延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电阻 减小 互连 存储器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种存储器装置，其包括：/n第一导线和第二导线，其在下部互连层内跨存储器单元行彼此大体上平行地以不间断方式连续地延伸，所述第一导线和所述第二导线耦合到所述行的存储器单元；/n第一多个导线段，其安置于在所述下部互连层上方的中间互连层内，其中所述第一多个导线段中的导线段耦合到所述第一导线上的不同位置且与所述第一导线平行地电耦合；/n第二多个导线段，其安置于所述中间互连层中，其中所述第二多个导线段中的导线段耦合到所述第二导线上的不同位置且与所述第二导线平行地电耦合，所述第二多个导线段在几何形状上平行于所述第一多个导线段；/n第三多个导线段，其安置于安置在所述中间互连层上方的上部互连层中，其中所述第三多个导线段中的导线段耦合到所述第一导线上的不同位置且与所述第一导线平行地电耦合；和/n第四多个导线段，其安置于所述上部互连层中，其中所述第四多个导线段中的导线段耦合到所述第二导线上的不同位置且与所述第二导线平行地电耦合，所述第四多个导线段在几何形状上平行于所述第二多个导线段；/n其中在所述行中的数个存储器单元的数量与所述第一多个导线段加所述第三多个导线段的总和数量之间存在一对一的对应关系。/n
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