[发明专利]半导体存储器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201611242148.1 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN107492392B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 金六姬 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406;G11C11/408;G11C11/409;G11C11/4094 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 毋二省;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体存储器件包括：弱单元控制器，用于：编程弱单元信息，响应于初始化信号或写入结束信号而输出弱单元信息，以及每当输出弱单元信息时输出读取结束信号；存储单元阵列区域，其包括用于响应于行激活信号和列选择信号来储存数据的存储单元，并且包括用于储存弱单元信息的第一单元区域；信息传输控制电路，用于响应于初始化信号而基于通过使用读取结束信号产生的列计数信号来产生列地址，并且每当列计数信号达到预定值时产生行地址；行电路，用于使能行激活信号；以及列电路，用于通过解码列地址来输出列选择信号。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：弱单元控制电路，适用于：内部编程弱单元信息、响应于初始化信号或写入结束信号输出被编程的弱单元信息、以及每当输出所述弱单元信息时输出读取结束信号；存储单元阵列区域，所述存储单元阵列区域包括适用于响应于行激活信号和列选择信号来储存数据的存储单元，以及包括适用于储存从所述弱单元控制电路输出的所述弱单元信息的第一单元区域；信息传输控制电路，适用于：响应于所述初始化信号，基于通过使用所述读取结束信号而产生的列计数信号来产生列地址、以及每当所述列计数信号达到预定值时产生行地址；行电路，适用于：通过解码所述行地址来使能所述行激活信号；以及列电路，适用于：通过解码所述列地址来输出所述列选择信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611242148.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种语音控制方法、智能设备及存储介质
- 下一篇：连接导管及多功能导管组件
