[发明专利]一种化学机械抛光方法在审
| 申请号： | 201611231249.9 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108257863A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 宋凯;姚颖;荆建芬;杨俊雅;张建;蔡鑫元;杜玲曦;潘依君;王雨春 | 申请（专利权）人： | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;B24B37/04 |
| 代理公司： | 北京大成律师事务所 11352 | 代理人： | 李佳铭;沈汶波 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新区华东路*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种化学机械抛光方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤A：在第一抛光盘上抛光金属铜；步骤B：在第二抛光盘上再次抛光剩余的铜，并停在钽阻挡层上，实现平坦化；步骤C：在第三抛光盘上抛光阻挡层和介电层，并停在氮化硅层上。其中，步骤A和步骤B中使用铜抛光液，步骤C中使用阻挡层抛光液。且，所述阻挡层抛光液中包含研磨颗粒、氨基硅烷试剂和水。本发明使用高选择比的阻挡层抛光液，能很好的停止在氮化硅层上，很好的控制芯片表面形貌，抑制金属腐蚀和表面缺陷；在CMP过程中可以严格控制基材表面污染物，且杜绝金属腐蚀，具有好的表面形貌和抛光均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光液 抛光盘 阻挡层 化学机械抛光 表面形貌 氮化硅层 金属腐蚀 氨基硅烷试剂 抛光均一性 抛光阻挡层 表面缺陷 高选择比 基材表面 控制芯片 抛光金属 研磨颗粒 钽阻挡层 介电层 平坦化 抛光 污染物 | ||
【主权项】：
1.一种化学机械抛光方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤A：在第一抛光盘上抛光金属铜，步骤B：在第二抛光盘上再次抛光剩余的铜，并停在钽阻挡层上，实现平坦化；步骤C：在第三抛光盘上抛光阻挡层和介电层，并停在氮化硅层上。其中，步骤A和步骤B中使用铜抛光液，步骤C中使用阻挡层抛光液。且，所述阻挡层抛光液中包含研磨颗粒、氨基硅烷试剂和水。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安集微电子科技（上海）股份有限公司，未经安集微电子科技（上海）股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611231249.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件的制造方法、衬底处理装置及存储介质
- 下一篇：晶圆处理方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
