[发明专利]一种化学机械抛光方法在审
| 申请号： | 201611231249.9 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108257863A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 宋凯;姚颖;荆建芬;杨俊雅;张建;蔡鑫元;杜玲曦;潘依君;王雨春 | 申请（专利权）人： | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;B24B37/04 |
| 代理公司： | 北京大成律师事务所 11352 | 代理人： | 李佳铭;沈汶波 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新区华东路*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 抛光液 抛光盘 阻挡层 化学机械抛光 表面形貌 氮化硅层 金属腐蚀 氨基硅烷试剂 抛光均一性 抛光阻挡层 表面缺陷 高选择比 基材表面 控制芯片 抛光金属 研磨颗粒 钽阻挡层 介电层 平坦化 抛光 污染物 | ||
1.一种化学机械抛光方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤A：在第一抛光盘上抛光金属铜，
步骤B：在第二抛光盘上再次抛光剩余的铜，并停在钽阻挡层上，实现平坦化；
步骤C：在第三抛光盘上抛光阻挡层和介电层，并停在氮化硅层上。
其中，步骤A和步骤B中使用铜抛光液，步骤C中使用阻挡层抛光液。且，所述阻挡层抛光液中包含研磨颗粒、氨基硅烷试剂和水。
2.如权利要求1所述的化学机械抛光方法，其特征在于，所述研磨颗粒为二氧化硅溶胶。
3.如权利要求1所述的化学机械抛光方法，其特征在于，所述研磨颗粒的质量百分比浓度为1-20％。
4.如权利要求1所述的化学机械抛光方法，其特征在于，所述氨基硅烷试剂选自氨乙基甲基二乙氧基硅烷、氨乙基甲基二甲氧基硅烷、氨乙基二甲基甲氧基硅烷、氨丙基甲基二乙氧基硅烷、氨丙基甲基二甲氧基硅烷、氨丙基二甲基甲氧基硅烷、氨丙基三甲氧基硅烷中的一种或多种。
5.如权利要求1所述的化学机械抛光方法，其特征在于，所述氨基硅烷类化合物的质量百分比浓度为0.01～0.2％。
6.如权利要求1任一所述的化学机械抛光方法，其特征在于，所述阻挡层抛光液中还包含缓蚀剂，络合剂和氧化剂。
7.如权利要求1-6任一所述的化学机械抛光方法，其特征在于，所述阻挡层抛光液的pH值为4-6。
8.一种如权利要求1-7所述的化学机械抛光方法在抛光阻挡层上的应用。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
