[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201611227983.8 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN107346789A | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 董婷;宋晶尧;付东 | 申请（专利权）人： | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/417 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 郑彤 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法，所述氧化物薄膜晶体管包括基板、栅极、栅绝缘层、半导体有源层、源电极、漏电极；所述栅极位于所述基板之上，所述栅绝缘层位于所述栅极之上，所述半导体有源层位于所述栅绝缘层之上，所述源电极、漏电极位于所述半导体上且通过氧化物绝缘薄膜隔开。本发明通过阳极氧化的方法氧化半导体有源层背沟道上方的金属导电薄膜层，同时制备了源电极、漏电极和钝化层，有效避免了源电极、漏电极在图形化过程中对半导体有源层造成的伤害或污染，减少了源电极、漏电极与半导体有源层之间的界面缺陷，并极大地简化了制备工序，降低了成本，适宜工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板、栅极、栅绝缘层、半导体有源层、源电极、漏电极；所述栅极位于所述基板之上，所述栅绝缘层位于所述栅极之上，所述半导体有源层位于所述栅绝缘层之上，所述源电极、漏电极位于所述半导体有源层上且通过氧化物绝缘薄膜层隔开。
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