[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板、栅极、栅绝缘层、半导体有源层、源电极、漏电极；所述栅极位于所述基板之上，所述栅绝缘层位于所述栅极之上，所述半导体有源层位于所述栅绝缘层之上，所述源电极、漏电极位于所述半导体有源层上且通过氧化物绝缘薄膜层隔开。

2.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物绝缘薄膜层的材料为Al₂O₃、Ta₂O₅、CuO或Al-Nd的氧化物。

3.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述源电极、漏电极的材料为Al、Ta、Cu或Al-Nd。

4.根据权利要求3所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述源电极、漏电极的厚度分别为10-500nm。

5.根据权利要求1-4任一项所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体有源层的材料为二元氧化物和/或多元氧化物。

6.根据权利要求5所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体有缘层的厚度为10-100nm。

7.权利要求1-6任一所述的氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

选取基板；

在所述基板上形成栅极；

在所述栅极上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成半导体有源层；

在所述半导体有源层上形成金属导电薄膜层，所述金属导电薄膜层设有源电极区域、漏电极区域以及绝缘区域；

在所述金属导电薄膜层上形成光刻胶，通过光刻的方法图形化，露出所述绝缘区域，并在所述源电极区域和所述漏电极区域分别形成源电极保护层和漏电极保护层，得到含保护层器件；

将所述含保护层器件置于电解液中，通过阳极氧化的方法，将所述绝缘区域完全氧化，形成氧化物绝缘薄膜层；

将含有氧化物绝缘薄膜层的基板取出，去掉源电极保护层、漏电极保护层，即得氧化物薄膜晶体管。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述阳极氧化为：所述含保护层器件为阳极，Pt为阴极，加0.1～1mA/cm²恒定电流氧化，当两极间的电压达到设定值70～150V时，再恒定电压氧化至电流无变化。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述电解液为酒石酸铵与乙二醇的水溶液，其中酒石酸铵的质量分数为3.48wt％，酒石酸铵与乙二醇的体积比为1:3。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述光刻胶的厚度为500-1200nm。