[发明专利]一种结势垒肖特基二极管有效
| 申请号： | 201611225372.X | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN106784023B | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 李风浪 | 申请（专利权）人： | 杭州易正科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 张伟静 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市西*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种结势垒肖特基结构的二极管，包括：第一导电类型衬底，第一导电类型半导体层，阳极金属层，绝缘层，终端保护区，第二导电类型半导体区，所述第一导电类型半导体层上表层中形成多个具有一定间隔的沟槽，所述终端保护区与第二导电类型半导体区形成于所述沟槽下方，所述沟槽侧壁形成有绝缘侧壁，所述沟槽内填充导电材料，本发明有效提高结势垒肖特基二极管PN结对二极管耐压性能的改善作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结势垒肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
1.一种结势垒肖特基二极管，包括：第一导电类型衬底，形成在所述第一导电类型衬底上的第一导电类型半导体层，形成在所述第一导电类型半导体层上并且与其形成肖特基接触的阳极金属层，形成在所述阳极金属层的边缘至外侧的第一导电类型半导体层上的绝缘层，形成在所述绝缘层与阳极金属层下方的第二导电类型的终端保护区，形成在所述终端保护区内侧的第一导电类型半导体层上表层中的多个具有一定间隔的第二导电类型半导体区，其特征在于：所述第一导电类型半导体层上表层中形成多个具有一定间隔的沟槽，所述终端保护区与第二导电类型半导体区形成于所述沟槽下方，所述沟槽侧壁形成有绝缘侧壁，所述沟槽内填充导电材料；所述终端保护区上方的沟槽槽口外侧的第一导电类型半导体层与阳极金属层间形成绝缘介质区，所述第二导电类型半导体区上方的沟槽槽口外侧的第一导电类型半导体层与阳极金属层间形成绝缘介质区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州易正科技有限公司，未经杭州易正科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611225372.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：SBD器件及其制备方法
- 下一篇：一种肖特基二极管
- 同类专利
- 专利分类
