[发明专利]碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201611224426.0 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN107026205B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 胁本节子;岩谷将伸 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/16;H01L29/10;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 杨敏;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够在维持低导通电阻的状态下降低栅极阈值电压的偏差，且能够降低漏电不良的碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法。在沟槽栅结构的纵型MOSFET，以包括形成有沟道的部分的方式在包括外延生长而成的p型碳化硅层(22)的p型基区(4)的内部设置高浓度注入区(13)。高浓度注入区(13)通过向p型碳化硅层(22)进行的p型杂质的离子注入而形成。高浓度注入区(13)通过p型的离子注入形成，且具有在杂质浓度比p型碳化硅层(22)的杂质浓度高的峰(13a)上沿深度方向具有高低差的山形的杂质浓度分布曲线(31)。通过用于形成高浓度注入区(13)的离子注入，在p型基区(4)产生晶体结构部分错乱。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的第一外延生长层，设置在碳化硅基板的正面；第二导电型的第二外延生长层，设置在所述第一外延生长层的相对于所述碳化硅基板侧的相反一侧；第二导电型的第一半导体区，选择性地设置在所述第二外延生长层的内部，并且杂质浓度比所述第二外延生长层的杂质浓度高；第一导电型的第二半导体区，选择性地设置在所述第二外延生长层的内部的比所述第一半导体区浅的位置；沟槽，贯穿所述第二半导体区、所述第一半导体区和所述第二外延生长层而到达所述第一外延生长层；栅电极，隔着栅绝缘膜而设置在所述沟槽的内部；第一电极，与所述第二半导体区和所述第二外延生长层接触；以及第二电极，设置在碳化硅基板的背面，所述第一半导体区具有形成为沿深度方向具有杂质浓度的高低差的山形的第二导电型杂质浓度分布曲线，该第二导电型杂质浓度分布曲线的峰的杂质浓度比所述第二外延生长层的杂质浓度高。
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