[发明专利]图像传感器及其制造方法有效
申请号: | 201611217129.3 | 申请日: | 2016-12-26 |
公开(公告)号: | CN107026182B | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
发明(设计)人: | 魏嘉余;萧晋勋;邱柏钧;郑宇轩;许永隆;陈信吉;郑静玲 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明实施例提供了一种图像传感器,包括衬底、沟槽隔离件、多个图像感测单元、至少一个相位检测单元,以及互连层。沟槽隔离件在衬底中,以及衬底的多个有源区通过沟槽隔离件彼此分隔。图像感测单元和至少一个相位检测单元在布置为阵列的有源区中,以及至少一个相位检测单元的感测面积比图像感测单元的每个的感测面积小。互连层设置在图像感测单元和至少一个相位检测单元上。此外,还提提供了图像传感器的制造方法。本发明实施例涉及图像传感器及其制造方法。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种图像传感器,包括:衬底;沟槽隔离件,位于所述衬底中,其中,所述衬底的多个有源区通过所述沟槽隔离件彼此分隔;多个图像感测单元;至少一个相位检测单元,其中,所述图像感测单元和所述至少一个相位检测单元位于布置为阵列的所述有源区中,以及所述至少一个相位检测单元的感测面积小于所述图像感测单元的每个的感测面积;以及互连层,设置在所述图像感测单元和所述至少一个相位检测单元上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的