[发明专利]图像传感器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201611217129.3 申请日: 2016-12-26
公开(公告)号: CN107026182B 公开(公告)日: 2022-05-03
发明(设计)人: 魏嘉余;萧晋勋;邱柏钧;郑宇轩;许永隆;陈信吉;郑静玲 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 图像传感器 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种图像传感器,包括:

衬底;

沟槽隔离件,位于所述衬底中,其中,所述衬底的多个有源区通过所述沟槽隔离件彼此分隔;

多个图像感测单元;

至少一个相位检测单元,其中,所述图像感测单元和所述至少一个相位检测单元位于布置为阵列的所述有源区中,以及所述至少一个相位检测单元的感测面积小于所述图像感测单元的每个的感测面积;以及

互连层,设置在所述图像感测单元和所述至少一个相位检测单元之下;

位于所述沟槽隔离件上方的屏蔽栅格层,其中,所述屏蔽栅格层包括多个具有相同面积的开口,所述图像感测单元的每个的所述感测面积等于所述开口的面积,以及所述至少一个相位检测单元的所述感测面积小于所述开口的面积。

2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述衬底是硅衬底。

3.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述沟槽隔离件包括邻近所述图像感测单元的每个的多个第一沟槽隔离图案以及包括邻近所述至少一个相位检测单元的至少一个第二沟槽隔离图案,以及被所述第二沟槽隔离图案占据的面积大于被所述第一沟槽隔离图案占据的面积。

4.根据权利要求2所述的图像传感器,还包括设置在所述屏蔽栅格层和所述沟槽隔离件之间的介电层。

5.根据权利要求2所述的图像传感器,其中,所述屏蔽栅格层的材料包括钨或铝。

6.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述衬底具有1.5μm至3μm的厚度。

7.根据权利要求2所述的图像传感器,还包括设置在所述屏蔽栅格层上方的多个微透镜。

8.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述图像感测单元和所述至少一个相位检测单元是光电二极管。

9.一种图像传感器,包括:

衬底;

沟槽隔离件,位于所述衬底中,其中,所述衬底的多个有源区通过所述沟槽隔离件彼此分隔;

多个图像感测单元;

至少一个相位检测单元,其中,所述图像感测单元和所述至少一个相位检测单元位于布置为阵列的所述有源区中;

屏蔽栅格层,所述屏蔽栅格层包括多个屏蔽栅格图案,所述屏蔽栅格图案设置在所述沟槽隔离件上从而使得所述屏蔽栅格图案完全屏蔽围绕所述图像感测单元的所述沟槽隔离件以及部分地屏蔽围绕所述至少一个相位检测单元的所述沟槽隔离件,其中,所述屏蔽栅格图案包括多个具有相同面积的开口,所述图像感测单元的每个的感测面积等于所述开口的面积,以及所述至少一个相位检测单元的感测面积小于所述开口的面积;以及

互连层,设置在所述图像感测单元和所述至少一个相位检测单元之下。

10.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,所述屏蔽栅格图案不与所述图像感测单元和所述至少一个相位检测单元重叠。

11.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,所述沟槽隔离件包括邻近所述图像感测单元的每个的多个第一沟槽隔离图案和邻近所述至少一个相位检测单元的至少一个第二沟槽隔离图案,以及所述屏蔽栅格图案完全地屏蔽所述第一沟槽隔离图案以及部分地屏蔽所述至少一个第二沟槽隔离图案。

12.根据权利要求9所述的图像传感器,还包括设置在所述屏蔽栅格层和所述沟槽隔离件之间的介电层。

13.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,所述屏蔽栅格层的材料包括钨或铝。

14.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,所述衬底具有1.5μm至3μm的厚度。

15.根据权利要求9所述的图像传感器,还包括设置在所述屏蔽栅格层上方的多个微透镜。

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