[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201611213398.2 申请日: 2016-12-23
公开(公告)号: CN108242426B 公开(公告)日: 2020-04-07
发明(设计)人: 梁凯智 申请(专利权)人: 上海新微技术研发中心有限公司
主分类号: H01L23/043 分类号: H01L23/043;H01L21/48;B81B7/02
代理公司: 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 代理人: 刘元霞
地址: 201800 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 本申请提供一种半导体器件及其制造方法,该半导体器件具有由导电材料围合而成的腔体,该腔体能够缓冲主动端结构体和被动端结构体彼此接触时的作用力,并且,该导电材料能够将接触产生的静电导走,避免静电效应产生,由此,避免碰触与撞击所导致的粘黏和产品失效问题。
搜索关键词: 一种 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件,其具有主动端结构体和被动端结构体,所述主动端结构体和所述被动端结构体能够相对运动并彼此接触,其特征在于,所述主动端结构体和所述被动端结构体的至少一者具有腔体,所述腔体内形成为容置空间,所述腔体由底部和外壁围合而成,所述外壁相对于所述底部而向所述相对运动的方向突起,所述外壁和所述底部均为导电材料,所述主动端结构体和所述被动端结构体由于所述相对运动而接触的部分位于所述外壁的外表面。
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