[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其具有主动端结构体和被动端结构体，所述主动端结构体和所述被动端结构体能够相对运动并彼此接触，其特征在于，

所述主动端结构体和所述被动端结构体的至少一者具有腔体，

所述腔体内形成为容置空间，

所述腔体由底部和外壁围合而成，所述外壁相对于所述底部而向所述相对运动的方向突起，

所述外壁和所述底部均为导电材料，

所述主动端结构体和所述被动端结构体由于所述相对运动而接触的部分位于所述外壁的外表面。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述导电材料为金属材料。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述腔体为密封腔体或与外部连通。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述容置空间内为真空或填充有介质。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中，

所述介质为气体和/或高分子材料。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述相对运动的方向平行或垂直于所述半导体器件的基底表面。

7.一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件具有主动端结构体和被动端结构体，所述主动端结构体和所述被动端结构体能够相对运动并彼此接触，其特征在于，

该制造方法包括：

形成主动端结构体和被动端结构体；以及

形成腔体，

其中，所述腔体形成于所述主动端结构体和所述被动端结构体的至少一者，所述腔体内形成为容置空间，

所述腔体由底部和外壁围合而成，所述外壁相对于所述底部而向所述相对运动的方向突起，

所述外壁和所述底部均为导电材料，

所述主动端结构体和所述被动端结构体由于所述相对运动而接触的部分位于所述外壁的外表面。

8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其中，

在形成主动端结构体和被动端结构体之后，形成所述腔体，

并且，形成所述腔体的步骤包括：

在所述主动端结构体和/或所述被动端结构体的表面形成图形化的第一导电材料层，以作为所述底部；

在所述底部的表面形成介质层；以及

在所述介质层表面形成图形化的第二导电材料层，以作为所述外壁；

其中，所述外壁和所述底部围合以形成所述腔体。

9.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其中，

在形成主动端结构体和被动端结构体之前，形成所述腔体，

并且，形成所述腔体的步骤包括：

在与所述主动端结构体和/或所述被动端结构体对应的导电材料的区域中形成孔洞，所述孔洞内部作为所述腔体。

10.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中，

形成所述腔体的步骤还包括：

在所述孔洞中填充介质材料；以及

在所述孔洞的开口处覆盖绝缘介质层。