[发明专利]一种沟槽型IGBT及其制造方法和电子装置有效
| 申请号： | 201611186841.1 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108206135B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 袁雷兵 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种沟槽型IGBT及其制造方法和电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有间隔设置的若干图案化的绝缘层；在每个所述图案化的绝缘层上方形成沟槽，所述沟槽露出其下方所述图案化的绝缘层的部分顶面；在所述沟槽中形成栅极结构。本发明的沟槽型IGBT的制造方法在沟槽底部增加绝缘层，既能降低Cgc，避免由于Cgc过大引起整个电子线路的震荡，而导致IGBT器件和电子线路系统的失效的问题出现；同时通过增加沟槽底部的绝缘层，改善沟槽底部的电场分布，提高元胞的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 igbt 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽型IGBT的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有间隔设置的若干图案化的绝缘层；在每个所述图案化的绝缘层上方形成沟槽，所述沟槽露出其下方所述图案化的绝缘层的部分顶面；在所述沟槽中形成栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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