[发明专利]一种倒装结构microLED芯片的制备方法在审
| 申请号： | 201611186695.2 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106653961A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 吴永军;刘亚柱;唐军;吕振兴;潘尧波 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 安徽信拓律师事务所34117 | 代理人： | 李德胜 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种倒装结构micro LED芯片的制备方法，包括以下步骤(1)选用单面抛光蓝宝石衬底生长GaN外延，之后生长ITO膜层，然后进行先Mesa光刻再Isolation光刻或先Isolation光刻再Mesa光刻；(2)在步骤(1)进行Mesa光刻和Isolation光刻之后的基片上，在N区做出N‑contact图形和Passivation图形；(3)光刻上一步的基片，在P区和N区做出PN‑contact图形，蒸镀金属电极，厚度1‑3μm，去除光刻胶；(4)在上一步基片上生长ITO膜层，厚度0.5‑2μm，光刻并蚀刻出指定图形，去除光刻胶；(5)将上述基片进行背面研磨、抛光，厚度范围300‑500μm，即完成制备。本发明芯片最大化利用了发光面，使得同尺寸芯片具有更高的亮度和更低的能耗；对可能的漏电通道进行了绝缘保护，减少芯片因后道制程产生的漏电可能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 结构 microled 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种倒装结构micro LED芯片的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)选用单面抛光蓝宝石衬底生长GaN外延，之后生长ITO膜层，然后进行先Mesa光刻再Isolation光刻或先Isolation光刻再Mesa光刻；(2)在步骤(1)进行Mesa光刻和Isolation光刻之后的基片上，在N区做出N‑contact图形和Passivation图形；(3)光刻上一步的基片，在P区和N区做出PN‑contact图形，蒸镀金属电极，厚度1‑3μm，去除光刻胶；(4)在上一步基片上生长ITO膜层，厚度0.5‑2μm，光刻并蚀刻出指定图形，去除光刻胶；(5)将上述基片进行背面研磨、抛光，厚度范围300‑500μm，即完成chip on wafer制备。
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