[发明专利]一种倒装结构microLED芯片的制备方法

权利要求书

1.一种倒装结构micro LED芯片的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)选用单面抛光蓝宝石衬底生长GaN外延，之后生长ITO膜层，然后进行先Mesa光刻再Isolation光刻或先Isolation光刻再Mesa光刻；

(2)在步骤(1)进行Mesa光刻和Isolation光刻之后的基片上，在N区做出N-contact图形和Passivation图形；

(3)光刻上一步的基片，在P区和N区做出PN-contact图形，蒸镀金属电极，厚度1-3μm，去除光刻胶；

(4)在上一步基片上生长ITO膜层，厚度0.5-2μm，光刻并蚀刻出指定图形，去除光刻胶；

(5)将上述基片进行背面研磨、抛光，厚度范围300-500μm，即完成chip on wafer制备。

2.根据权利要求1所述的一种倒装结构micro LED芯片的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中单面抛光蓝宝石衬底生长GaN外延的厚度为4-10μm；生长ITO膜层，厚度为20-200nm。

3.根据权利要求1所述的一种倒装结构micro LED芯片的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中光刻Mesa图形后腐蚀裸露ITO膜层，腐蚀后进行ICP刻蚀，刻蚀深度1-3μm，去除光刻胶。

4.根据权利要求1所述的一种倒装结构micro LED芯片的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中Isolation光刻ICP刻蚀并去除光刻胶后，表面生长SiO₂作为掩膜层，厚度为1-2μm；光刻后使用ICP干法刻蚀去除多余的SiO₂，刻蚀气体可选SF₆/CF₄/CHF₃；之后使用BCl₃及Cl₂混合气体刻蚀GaN直至Al₂O₃层，去除光刻胶，使用HF/NH₄F混合溶液去除残留的SiO₂。

5.根据权利要求1所述的一种倒装结构micro LED芯片的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中在步骤(1)进行Mesa光刻和Isolation光刻之后的基片上，在N区做出N-contact图形，蒸镀金属电极，厚度与PN高度差相同，去除光刻胶，之后生长SiO₂，厚度0.2-1μ，在N区做出N-contact图形，蒸镀金属电极，厚度与PN高度差相同，去除光刻胶。