[发明专利]SBD器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201611184730.7 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106784022A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 金荣善;李东键;骆薇薇;孙在亨 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/20;H01L21/329 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 郑彤,万志香 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市唐家湾镇*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SBD器件及其制备方法，该SBD器件，包括金属层；设置在所述金属层上的缓冲层；设置在所述缓冲层上的重掺杂n‑GaN层；设置在所述重掺杂n‑GaN层上的微量掺杂n‑GaN层；设置在微量掺杂n‑GaN层上的肖特基阻挡金属层。上述SBD器件设计垂直原子构造，能防止横向器件构造中发生的热逃逸现象。 | ||
| 搜索关键词： | sbd 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种SBD器件，其特征在于，包括：金属层；设置在所述金属层上的缓冲层；设置在所述缓冲层上上的重掺杂n‑GaN层；设置在所述重掺杂n‑GaN层上的微量掺杂n‑GaN层；设置在所述微量掺杂n‑GaN层上的肖特基阻挡金属层。
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