[发明专利]SBD器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201611184730.7 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106784022A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 金荣善;李东键;骆薇薇;孙在亨 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/20;H01L21/329 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 郑彤,万志香 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市唐家湾镇*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sbd 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种SBD器件，其特征在于，包括：
金属层；
设置在所述金属层上的缓冲层；
设置在所述缓冲层上上的重掺杂n-GaN层；
设置在所述重掺杂n-GaN层上的微量掺杂n-GaN层；
设置在所述微量掺杂n-GaN层上的肖特基阻挡金属层。
2.根据权利要求1所述的SBD器件，其特征在于，所述金属层设有突起区域和非突起区域，所述金属层与重掺杂n-GaN层接触。
3.根据权利要求2所述的SBD器件，其特征在于，所述非凸起区域与所述缓冲层之间设有基板层。
4.根据权利要求3所述的SBD器件，其特征在于，所述基板层的材料为硅。
5.根据权利要求1-4任一项所述的SBD器件，其特征在于，所述微量掺杂n-GaN层的掺杂量为1×1018/cm3-1×1019/cm3，厚度为0.1μm-0.5μm。
6.根据权利要求1-4任一项所述的SBD器件，其特征在于，所述重掺杂n-GaN层的掺杂量为5×1018/cm3-5×1019/cm3，厚度为0.1μm-0.5μm。
7.根据权利要求6所述的SBD器件，其特征在于，所述重掺杂n-GaN层包含多层的应变控制层和多层的掩蔽层，所述应变控制层的层数≥0；所述掩蔽层的层数≥0。
8.根据权利要求1-4任一项所述的SBD器件，其特征在于，所述缓冲层的材料为氮化镓、氮化铝或氮化镓铝。
9.根据权利要求1-4任一项所述的SBD器件，其特征在于，所述肖特基阻挡金属层的材料为W、Ti/W、TiN、Ni或Au；所述金属层的材料为Ni/Au、Ti/Al、Ti/Al/Ni/Au或Ti/Al/Pt/Au。
10.一种SBD器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供基板层；
在所述基板层上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成重掺杂n-GaN层；
在所述重掺杂n-GaN层上形成微量掺杂n-GaN层；
在所述微量掺杂n-GaN层上形成肖特基阻挡金属层；
去除所述基板层形成金属层，或通过所述基板层上的通孔形成金属层。
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