[发明专利]用于可重构全息天线的GaAs基等离子pin二极管的制备方法

摘要

本发明涉及一种用于可重构全息天线的GaAs基等离子pin二极管的制备方法，该制备方法包括选取某一晶向的GeOI衬底，在GeOI衬底上淀积GaAs层并设置隔离区；刻蚀所述衬底形成P型沟槽和N型沟槽，P型沟槽和N型沟槽的深度小于衬底的顶层GaAs的厚度；在P型沟槽和N型沟槽内采用离子注入形成第一P型有源区和第一N型有源区；填充P型沟槽和N型沟槽，并采用离子注入在衬底的顶层GaAs内形成第二P型有源区和第二N型有源区；在衬底上形成引线，以完成GaAs基等离子pin二极管的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能GaAs基等离子pin二极管。

主权项

一种用于可重构全息天线的GaAs基等离子pin二极管的制备方法，其特征在于，所述GaAs基等离子pin二极管用于制作可重构全息天线，所述可重构全息天线包括GeOI半导体基片(1)；制作在所述GeOI半导体基片(1)上的第一天线臂(2)和第二天线臂(3)和同轴馈线(4)，所述第一天线臂(2)和所述第二天线臂(3)包括分布在所述同轴馈线(4)两侧且等长的等离子pin二极管串，所述可重构全息天线还包括全息圆环(14)；所述全息圆环(14)包括多个等离子pin二极管串(w7)，所述制备方法包括步骤：(a)选取某一晶向的GeOI衬底，在GeOI衬底上淀积GaAs层并设置隔离区；(b)刻蚀所述衬底形成P型沟槽和N型沟槽，所述P型沟槽和所述N型沟槽的深度小于所述衬底的顶层GaAs的厚度；(c)氧化所述P型沟槽和所述N型沟槽以使所述P型沟槽和所述N型沟槽的内壁形成氧化层；利用湿法刻蚀工艺刻蚀所述P型沟槽和所述N型沟槽内壁的氧化层以完成所述P型沟槽和所述N型沟槽内壁的平整化；对所述P型沟槽和所述N型沟槽进行离子注入以形成所述第一P型有源区和所述第一N型有源区，所述第一N型有源区为沿离子扩散方向距所述N型沟槽侧壁和底部深度小于1微米的区域，所述第一P型有源区为沿离子扩散方向距所述P型沟槽侧壁和底部深度小于1微米的区域；(d)填充所述P型沟槽和所述N型沟槽，并采用离子注入在所述衬底的顶层GaAs内形成第二P型有源区和第二N型有源区；(e)在所述衬底上形成引线，以完成所述GaAs基等离子pin二极管的制备。