[发明专利]一种砷化镓光导开关的制备方法在审
| 申请号： | 201611183846.9 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106816495A | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 周昊;张庆猛;唐群;杨志民 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/08;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 | 代理人： | 陈波 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种砷化镓光导开关的制备方法，包括以下步骤(1)清洗砷化镓表面；(2)在砷化镓表面涂覆一层光刻胶；(3)加热固化光刻胶；(4)冷却后进行曝光，接着进行曝光后显影前的烘烤；(5)冷却后进行显影，剥离需要镀膜位置的光刻胶；(6)镀膜作为电极；(7)进行解胶处理，去掉掩膜位置的光刻胶；(8)用划片机划取所需尺寸的晶片；(9)清洗后在快速退火炉中进行去应力退火处理。本发明通过半导体光刻技术制备电极，减少电极边缘阴影和毛刺，缓解电场增强效应，在不改变原料和其它工艺条件下提高砷化镓光导开关工作耐压性能。通过快速退火工艺，提高电极与砷化镓结合力，消除异质界面缺陷，从而提高砷化镓光导开关的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 砷化镓光导 开关 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种砷化镓光导开关的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)清洗砷化镓表面；(2)在砷化镓表面涂覆一层光刻胶；(3)烘烤加热固化光刻胶；(4)冷却后进行曝光，接着进行曝光后显影前的烘烤；(5)冷却后进行显影，剥离需要镀膜位置的光刻胶；(6)镀膜作为电极；(7)进行解胶处理，去掉掩膜位置的光刻胶；(8)用划片机划取所需尺寸的晶片；(9)清洗后进行去应力退火处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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