[发明专利]一种砷化镓光导开关的制备方法

权利要求书

1.一种砷化镓光导开关的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)清洗砷化镓表面；

(2)在砷化镓表面涂覆一层光刻胶；

(3)烘烤加热固化光刻胶；

(4)冷却后进行曝光，接着进行曝光后显影前的烘烤；

(5)冷却后进行显影，剥离需要镀膜位置的光刻胶；

(6)镀膜作为电极；

(7)进行解胶处理，去掉掩膜位置的光刻胶；

(8)用划片机划取所需尺寸的晶片；

(9)清洗后进行去应力退火处理。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)中，均匀涂覆光刻胶层的厚度为1μm～5μm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(3)和步骤(4)中所述的烘烤分别为，将砷化镓放入接触式加热板，70℃～100℃恒温保持1min～4min。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(6)为，采用磁控溅射技术镀Ti/Ni/Au膜。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(9)中，去应力退火处理在快速退火炉中进行，去应力退火的温度为200～450℃，保温时间为60s～300s。