[发明专利]具有渐变主体掺杂的LDMOS器件有效
| 申请号： | 201611181657.8 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN106898650B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | H·L·爱德华兹;J·R·托德 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/12 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵志刚;赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种横向扩散MOS(LDMOS)器件(200)包括具有在其上的p外延层(115)的衬底(110)。P主体区域(140)在p外延层中。ndrift(NDRIFT)区域(120)在提供漏极扩展区域(145)的p主体区域内，并且栅极介电(122)层形成在与NDRIFT区域的结的相应侧相邻的和在与NDRIFT区域的结的相应侧上的p主体区域中的沟道区域上，并且图案化的栅极电极(123)形成在栅极电介质上。DWELL区域(130)在p主体区域内，侧壁间隔物(138)在栅极电极的侧壁上，源极区域(148)在DWELL区域内，并且漏极区域在NDRIFT区域内。p主体区域(140)包括具有高于p外延层(115)的掺杂水平的净p型掺杂水平和至少5/μm的净p型掺杂分布梯度的至少一个0.5μm宽的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 渐变 主体 掺杂 ldmos 器件 | ||
【主权项】：
一种形成横向扩散金属氧化物半导体器件即LDMOS器件的方法，包括：在衬底上的p型层中形成第一n型区域；在形成所述第一n型区域之后，通过以下步骤形成具有垂直渐变掺杂的p型主体区域：用第一p型注入物注入所述p型层的在所述第一n型区域侧部的第一部分，以形成DWELL区域；用第二p型注入物注入所述p型层的第二部分，所述第二部分包括所述第一部分；以及用第三p型注入物注入到所述DWELL区域中，以形成p阱区域；快速热处理即RTP用于首先对所述第一p型注入物、所述第二p型注入物和所述第三p型注入物一起作活化处理；形成栅极叠层，所述形成栅极叠层包括在所述p主体区域的一部分上形成与所述第一n型区域的结的相应侧相邻的和在所述第一n型区域的结的相应侧上的栅极介电层，并且然后在所述栅极介电层上形成图案化的栅极电极；在所述栅极电极的侧壁上形成侧壁间隔物；在所述DWELL区域内形成源极区域，并且在所述第一n型区域内形成漏极区域。
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