[发明专利]具有渐变主体掺杂的LDMOS器件

权利要求书

1.一种形成横向扩散金属氧化物半导体器件即LDMOS器件的方法，包括：

在衬底上的p型层中形成第一n型区域；

在形成所述第一n型区域之后，通过以下步骤形成具有垂直渐变掺杂的p主体区域：

用第一p型注入物注入所述p型层的在所述第一n型区域侧部的第一部分，以形成DWELL区域；

用第二p型注入物注入所述p型层的第二部分，所述第二部分包括所述第一部分；以及

用第三p型注入物注入到所述DWELL区域中，以在所述p主体区域中在所述DWELL区域下方形成p阱区域；

快速热处理即RTP用于首先对所述第一p型注入物、所述第二p型注入物和所述第三p型注入物一起作活化处理；

形成栅极叠层，所述形成栅极叠层包括在所述p主体区域的一部分上方形成与所述第一n型区域的结的相应侧相邻的和在所述第一n型区域的结的相应侧上的栅极介电层，并且然后在所述栅极介电层上形成图案化的栅极电极；

在所述栅极电极的侧壁上形成侧壁间隔物；

在所述DWELL区域内形成源极区域，并且在所述第一n型区域内形成漏极区域，

其中所述p主体区域包括为至少一个0.5μm宽的一部分，所述一部分具有高于所述p型层的掺杂水平的净p型掺杂水平和至少5倍/μm的净p型掺杂分布梯度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在形成所述栅极叠层之前形成所述DWELL区域。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二p型注入物包括处于从400KeV到3MeV的能量、从1x10¹²cm^-2到1x10¹³cm^-2的剂量的硼。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括将n型掺杂物注入到所述DWELL区域中，以形成n型DWELL区域。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二p型注入物包括铟注入物即In注入物。

6.根据权利要求4所述的方法，其中注入所述n型掺杂物包括具有从10KeV到30KeV的能量和从3x10¹³cm^-2到1.2x10¹⁵cm^-2的剂量的砷。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述RTP包括快速热退火即RTA。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括形成隔离罐，所述形成隔离罐包括在形成所述第一n型区域之前在所述p型层中形成n+埋层即NBL，以及提供将所述p型层的顶部表面联接到所述NBL的垂直壁的n+沉降片。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述第一n型区域的一部分上方形成局部氧化层即LOCOS层，其中所述栅极电极在所述LOCOS层的一部分上。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二p型注入物是覆盖式注入物。