[发明专利]一种高压功率型肖特基二极管的制作方法有效
| 申请号： | 201611180023.0 | 申请日： | 2016-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN106711237B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 高博;张战国;雷应毅;陈金虎 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高压功率型肖特基二极管的制作方法，包括在硅外延层上制作终端保护结构；然后再硅外延层上进行光刻接触孔，在使用稀HF溶液进行漂洗并且烘干，随即进行金属Al或金属Al合金的低温淀积，再进行光刻金属Al层，然后进行高、低温合金，对硅片进行背面减薄和背面金属化，最后得到肖特基势垒结构，基于该势垒结构进行肖特基二极管的制作。该方法解决了现有的方法工艺过程复杂、水资源浪费严重、生产成本高及工艺兼容性差等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 功率 型肖特基 二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安微电子技术研究所，未经西安微电子技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611180023.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
