[发明专利]一种具有反射电流阻挡层的LED芯片及其制作方法

摘要

一种具有反射电流阻挡层的LED芯片及其制作方法，在P型氮化镓层的上方，绝缘的电流阻挡层的下方，采用电子束蒸发或者磁控溅射工艺形成一层具有反射作用的金属反射层，同时金属反射层在绝缘的电流阻挡层的覆盖下具有较高的稳定性。当P、N电极通电后，从有源层发出的光大部分从芯片的正上方出光，而位于P型电极下方的这部分光会通过位于电流阻挡层下方的金属反射层反射回来，再与位于芯片下方的布拉格反射镜的共同作用，从P型电极的周边发出，而不会受到金属电极吸光的影响，从而提高芯片的出光效率，提高芯片的亮度。

主权项

一种具有反射电流阻挡层的LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底，在所述衬底上依次形成发光结构，其中，所述发光结构包括依次形成的N型氮化镓层、有源层、P型氮化镓层；对所述发光结构进行刻蚀，形成贯穿所述P型氮化镓层和有源层并延伸至所述N型氮化镓层的第一通孔；在所述P型氮化镓层表面依次形成金属反射层和电流阻挡层；对所述金属反射层和电流阻挡层进行刻蚀，形成贯穿所述金属反射层和电流阻挡层并延伸至所述P型氮化镓层中的第二通孔；在所述电流阻挡层表面及第二通孔形成透明导电层，在所述透明导电层表面及第一通孔侧壁形成钝化层；对所述钝化层和透明导电层进行刻蚀，形成在金属反射层垂直方向上贯穿所述钝化层和透明导电层的第三通孔，并在所述第一通孔填充金属形成N型电极，在所述第三通孔填充金属形成P型电极；在所述第一衬底背离有源层一侧形成布拉格反射层。